Схемотехника электронных запоминающих устройств

В динамических ОЗУ без обновления информация в виде зарядов конденсаторов может сохраняться
1..15 мс
10..100 мкс
1..3 с
50..150 мс
Запоминающими элементами в EPROM и E2PROM являются
конденсаторы
триггеры
МНОП- и ЛИЗМОП-транзисторы
диоды
В современных микропроцессорных системах кэш первого уровня (внутрипроцессорный) обычно имеет структуру
частично ассоциативную
наборно-ассоциативную
с прямым размещением
полностью ассоциативную
Очень хорошо подходит для графических и мультимедийных приложений ОЗУ типа
EDORAM
DRDRAM
SDRAM
RDRAM
В динамическом ОЗУ основой запоминающего элемента является
триггер
регистр
конденсатор
диод
На рисунке приведена структура кэш-памяти image006.gif, текст вопроса Схемотехника электронных запоминающих устройств
с прямым размещением
частично ассоциативной
полностью ассоциативной
наборно-ассоциативной
В микросхемах SDRAM увеличивает поток информации от входа к выходу за единицу времени применение
многобанковых структур
команд для генерации, управляющих процессами в ЗУ
увязки синхросигналов памяти с тактовой частотой системы
конвейера
Из перечисленного информационный буфер позволяет 1) повысить независимость устройств, участвующих в обмене 2) хранить копии информации, используемой в текущих операциях обмена 3) согласовать скорости передачи и приема данных 4) работать в режиме непосредственного обмена с процессором
1, 3
3, 4
1, 2
2, 4
В табличном вычислителе на ПЗУ при увеличении разрядности входного числа на единицу требуется увеличить требуемый объем памяти
на 1 ячейку
в 2 раза
в 4 раза
на 2 ячейки
Служит для хранения копий информации, используемой в текущих операциях обмена память
циклическая
кэш
основная
стековая
В схемах Флэш-памяти стирание информации осуществляется
только для всей памяти одновременно
только для отдельных слов
для всей памяти одновременно или для достаточно больших блоков
для всей памяти, блоков или отдельных слов
Из перечисленного достоинствами статических ЗУ являются 1) высокое быстродействие 2) отсутствие необходимости регенерации 3) большая информационная емкость 4) невысокая стоимость
1, 2
1, 3
2, 3
2, 4
Буфер FIFO полон, если
адрес чтения и адрес записи сравняются при чтении
адрес чтения и адрес записи сравняются при записи
адрес чтения равен нулю
адрес чтения меньше адреса записи
На рисунке приведена схема использования ПЗУ для построения image009.gif, текст вопроса Схемотехника электронных запоминающих устройств
табличного вычислителя
микропрограммного автомата
комбинационной схемы
генератора последовательности сигналов
Каждая ячейка хранит данные, а поле "тег" содержит полный физический адрес информации, копия которой записана, в кэш-памяти
наборно-ассоциативной
полностью ассоциативной
частично ассоциативной
с прямым размещением
В интерфейсе Rambus адреса
генерируются специальным внутренним контроллером схемы
формируются автоматически внутренними счетчиками схемы
передаются в составе пакетов, включающих в себя команды и адреса
передаются по специализированным адресным линиям
Время предустановки сигнала А относительно сигнала В есть интервал между
началом сигнала А и окончанием сигнала В
окончанием сигнала А и окончанием сигнала В
началами обоих сигналов
окончанием сигнала А и началом сигнала В
Схемам типа Boot Block Flash Memory присуще
стирание всех данных одновременно и симметричная блочная архитектура
стирание всех данных одновременно и несимметричная блочная архитектура
блочное стирание данных и симметричная блочная архитектура
блочное стирание данных и несимметричная блочная архитектура
Структура ЗУ, в которой вначале выбираются "длинные" слова с помощью дешифрации одной части адреса, а затем из них слова нужной разрядности с помощью дешифрации другой части адреса, называется
2M
2DM
3D
2D
В масочных ЗУ типа ROM(M) микросхемы программируются
с помощью шаблона на завершающем этапе технологического процесса
с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами
с помощью электрических сигналов
устранением или созданием специальных перемычек
Для увеличения количества разрядов данных ПЗУ необходимо
объединить одноименные адресные входы нескольких микросхем
информационные выходы микросхем подключить к мультиплексору
к адресным входам микросхем подключить выходы дешифратора
объединить информационные выходы нескольких микросхем
Если необходимо увеличить частоту чтения информации из памяти, то надо соединить нужное количество микросхем памяти для увеличения разрядности шины данных, а затем применить на выходах данных схему на основе
демультиплексора
регистра сдвига
дешифратора
мультиплексора
При программировании РПЗУ-ЭС используются напряжения около
2 В
100 В
20 В
10 мВ
Из перечисленного достоинствами ЗУ с электрическим стиранием информации по сравнению с ЗУ с УФ-стиранием являются 1) возможность стирания информации индивидуально для каждого адреса 2) высокий уровень интеграции 3) низкая стоимость 4) большое число возможных циклов перепрограммирования
1, 4
3, 4
2, 4
1, 2
Методы повышения быстродействия, используемые в ОЗУ, основаны на предположении о
кучности адресов при обращениях к ОЗУ
более частом обращении к ячейкам с меньшими адресами
равновероятности обращений ко всем ячейкам памяти
более частом обращении к ячейкам с четными адресами
В статическом ОЗУ основой запоминающего элемента является
конденсатор
триггер
транзистор
диод
Буфер FIFO пуст, если
адрес чтения больше адреса записи
адрес записи равен нулю
адрес чтения и адрес записи сравняются при чтении
адрес чтения и адрес записи сравняются при записи
Видеопамять относится к типу ЗУ
стековому
FIFO
циклическому
файловому
Минимальный интервал времени между соседними однотипными обращениями к ЗУ называется
временем записи
циклом
временем считывания
темпом передач
Динамическое ОЗУ повышенного быстродействия, достигаемого путем кэширования, называется
CDRAM
SDRAM
DRDRAM
EDORAM
В ЗУ типа E2PROM микросхемы программируются
с помощью шаблона на завершающем этапе технологического процесса
с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами
с помощью электрических сигналов
устранением или созданием специальных перемычек
Традиционным для динамических ЗУ является режим регенерации путем осуществления циклов
чтения и записи по всем строкам матрицы ЗЭ
чтения по всем столбцам матрицы ЗЭ
чтения по всем строкам матрицы ЗЭ
чтения и записи по всем столбцам матрицы ЗЭ
При последовательном доступе к памяти адрес записываемой или читаемой ячейки формируется
программным обеспечением
контроллером прямого доступа к памяти
внутренними счетчиками схемы
микропроцессором
На рисунке изображена схема памяти image001.gif, текст вопроса Схемотехника электронных запоминающих устройств
FIFO
для хранения массивов данных
LIFO
с произвольным доступом
На рисунке изображена схема памяти image002.gif, текст вопроса Схемотехника электронных запоминающих устройств
с произвольным доступом
для хранения массивов данных
LIFO
FIFO
Время выборки ЗУ - это интервал времени от появления сигнала
CS до появления информационного сигнала на выходе
адреса до появления сигнала CS
адреса до завершения сигнала CS
адреса до появления информационного сигнала на выходе
Быстродействие ЗУ оценивают
временем считывания
длительностью циклов чтения/записи
временем считывания, записи и длительностью циклов чтения/записи
временем считывания и записи
Регенерация данных используется для
предотвращения потери информации вследствие перезаряда запоминающих конденсаторов токами утечки
работы в режиме оперативного обмена данными с процессором
повышение частоты тактирования в тракте обработки
хранения копий информации, используемой в текущих операциях отмены с процессора
При использовании ПЗУ для построения микропрограммного автомата в каждом такте ПЗУ выдает код данных, который определяет
состояние выходных сигналов схемы
адрес ПЗУ, который установится в следующем такте
состояние входных сигналов схемы, которые установятся в следующем такте
состояние выходных сигналов схемы и адрес ПЗУ, который установится в следующем такте
Главное отличие буферной памяти от памяти для временного хранения информации состоит в том, что
к буферу имеют доступ несколько внешних устройств
для доступа к ячейке буферной памяти используется адрес
буфер реализуется на основе конвейерных ОЗУ
буфер реализуется на основе статических ОЗУ
Достоинством статических ОЗУ является
большая емкость
энергонезависимость
высокое быстродействием
низкая стоимость
СтратаФлэш - запоминающее устройство типа Флэш с
с несимметричной блочной структурой
одновременном стиранием всей информации
с симметричной блочной структурой
запоминанием двух битов в одном запоминающем элементе
Из перечисленного достоинствами файловой Флэш-памяти по сравнению с твердыми дисками являются 1) высокая информационная емкость 2) низкая стоимость 3) низкая потребляемая мощность 4) высокое быстродействие при чтении данных
3, 4
1, 4
2, 4
2, 3
Флэш-память по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа
PROM
EPROM
ROM(M)
E2PROM
Число циклов перезаписи у ЗУ с электрическим стиранием информации
1..10
104...106
108...1010
10...100
Время удержания сигнала А относительно сигнала В - это интервал между
окончанием сигнала А и окончанием сигнала В
началами обоих сигналов
окончанием сигнала А и началом сигнала В
началом сигнала А и окончанием сигнала В
В ЗУ типа PROM микросхемы программируются
с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами
устранением или созданием специальных перемычек
с помощью шаблона на завершающем этапе технологического процесса
с помощью электрических сигналов
В ЗУ с последовательным доступом доступ к данным осуществляется
по специальному признаку
либо в порядке записи, либо в обратном порядке
по местоположению в памяти
случайным образом
Из перечисленного достоинством полностью ассоциативной кэш-памяти является 1) простота организации 2) функциональная гибкость 3) бесконфликтность адресов 4) малый размер тега
3, 4
1, 2
2, 3
2, 4
На рисунке приведена схема использования ПЗУ для построения image010.gif, текст вопроса Схемотехника электронных запоминающих устройств
табличного вычислителя
генератора последовательности сигналов
комбинационной схемы
микропрограммного автомата