Электронные приборы

МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного
1, 2, 4
3, 4
1, 2
1, 3, 4
На рисунке изображена схема включения транзистора image010.jpg, текст вопроса Электронные приборы
с общим коллектором
инверсного
с общей базой
с общим эмиттером
На рисунке изображен image007.jpg, текст вопроса Электронные приборы
варикап
стабилитрон
туннельный диод
тиристор
На рисунке изображен МДП-транзистор image014.jpg, текст вопроса Электронные приборы
с индуцированным каналом n-типа
с индуцированным каналом p-типа
со встроенным каналом p-типа
со встроенным каналом n-типа
Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется image012.jpg, текст вопроса Электронные приборы
стокоистоковой
истокостоковой
стокозатворной
затворностоковой
Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют
режимом отсечки
ключевым
режимом насыщения
активным
К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
1, 4
1, 2, 3
2, 3
2, 3, 5
На рисунке изображены image018.jpg, текст вопроса Электронные приборы
симисторы
варикапы
туннельные диоды
диоды Шоттки
Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет
1-5%
50-70%
10-20%
80-90%
На рисунке изображен image006.jpg, текст вопроса Электронные приборы
туннельный диод
диод Шоттки
варикап
стабилитрон
К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного
1, 4
1, 2, 4
2, 3, 4
2, 3
Симистор подобен
паре тиристоров, включенных параллельно
тиристору, включенному в обратном направлении
паре тиристоров, включенных встречно-параллельно
паре диодов, включенных встречно-параллельно
Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором может сохраняться
от 1 до 5 лет
более 10 лет
до 1 года
до 1 месяца
Характерная особенность диода Шотки:
используется выпрямляющий контакт металл-полупроводник
предназначен для стабилизации малых напряжений
предназначен для работы в качестве конденсатора
наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением
На рисунке изображен: image017.jpg, текст вопроса Электронные приборы
диод Шоттки
туннельный диод
тиристор
варикап
В режиме насыщения биполярного транзистора:
оба перехода смещены в обратном направлении
коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный в прямом
коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный находится под очень малым прямым напряжением
оба перехода смещены в прямом направлении
В обозначении светодиода первая буква указывает на
вид прибора
подвид светодиода
материал изготовления
конструктивное исполнение
Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое
уменьшение дифференциального сопротивления перехода
уменьшение барьерной емкости перехода
увеличение дифференциального сопротивления перехода
увеличение барьерной емкости перехода
На рисунке изображена схема включения транзистора image008.jpg, текст вопроса Электронные приборы
инверсного
с общим коллектором
с общей базой
с общим эмиттером
Общая емкость p-n-перехода равна
диффузной емкости
произведению барьерной и диффузной емкостей
барьерной емкости
сумме барьерной и диффузной емкостей
К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
1, 4, 5
1, 3, 4
2, 3, 5
1, 4
Плёночная схема:
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного
2, 3
3, 4
1, 4
1, 2
Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются
полупроводниковыми
тепловыми
фотонными
емкостными
В обозначении светодиода вторая буква указывает на
конструктивное исполнение
вид прибора
материал изготовления
подвид светодиода
Полевые транзисторы бывают: 1) с управляющим переходом; 2) с управляющим затвором; 3) с изолированным затвором; 4) с изолированным переходом - из перечисленного
2, 3
1, 4
1, 3
2, 4
Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой
вольт-амперной
люмено-амперной
переходной
люкс-амперной
Фотодиод работает в режиме фотогенератора при
u<0, i>0
u>0, i>0
u<0, i<0
u>0, i<0
Полупроводниковая схема:
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
На рисунке изображен image001.jpg, текст вопроса Электронные приборы
тиристор
диод
стабилитрон
варикап
Фототранзисторы описываются характеристиками
люмено-амперной
переходными
вольт-амперными
люкс-амперными
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального image002.jpg, текст вопроса Электронные приборы
транзистора
диода для прямого включения
диода для обратного включения
резистора
По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного
3, 4
2, 4
1, 3
1, 2
Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют
светодиодом
стабилитроном
фотодиодом
оптодиодом
Оптоэлектронными приборами являются: 1) излучатели; 2) приемники излучения; 3) стабисторы; 4) диоды Шоттки - из перечисленного
3, 4
1, 4
2, 3
1, 2
Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
СИС
СБИС
МИС
БИС
Биполярный транзистор:
полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электирическим переходом
полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, имеющий три вывода
полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три p-n перехода
Если геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой
тепловой
туннельный
механический
лавинный
Оптрон:
светодиод - фототиристор
фоторезистор-фотодиод
фотодиод- фототиристор
фотодиод-фототранзистор
На рисунке изображен МДП-транзистор image015.jpg, текст вопроса Электронные приборы
со встроенным каналом p-типа
со встроенным каналом n-типа
с индуцированным каналом p-типа
с индуцированным каналом n-типа
Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного
3, 4
1, 3
2, 4
1, 2
При инверсном режиме работы транзистора
коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный - в прямом
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном
Время спада диода зависит от: 1) времени жизни носителей; 2) барьерной емкости диода; 3) диффузной емкости диода; 4) тока, протекающего через диод - из перечисленного
2, 3
1, 4
1, 2
3, 4
Полевой транзистор:
полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три р-п перехода
активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три вывода
полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом
Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного
1, 2
3, 4
2, 4
1, 3
Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее
10000
100000
100
1000
Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от
влажности окружающей среды
концентрации примеси
температуры окружающей среды
давления окружающей среды
Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
3, 4
2, 3
1, 2
1, 4
Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой
туннельный
лавинный
тепловой
механический
На рисунке изображен МДП-транзистор image016.jpg, текст вопроса Электронные приборы
со встроенным каналом p-типа
с индуцированным каналом n-типа
со встроенным каналом n-типа
с индуцированным каналом p-типа