Электронные приборы
МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного
1, 2, 4
3, 4
1, 2
1, 3, 4
На рисунке изображена схема включения транзистора 
с общим коллектором
инверсного
с общей базой
с общим эмиттером
На рисунке изображен МДП-транзистор 
с индуцированным каналом n-типа
с индуцированным каналом p-типа
со встроенным каналом p-типа
со встроенным каналом n-типа
Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется 
стокоистоковой
истокостоковой
стокозатворной
затворностоковой
Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют
режимом отсечки
ключевым
режимом насыщения
активным
К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
1, 4
1, 2, 3
2, 3
2, 3, 5
Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет
1-5%
50-70%
10-20%
80-90%
К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного
1, 4
1, 2, 4
2, 3, 4
2, 3
Симистор подобен
паре тиристоров, включенных параллельно
тиристору, включенному в обратном направлении
паре тиристоров, включенных встречно-параллельно
паре диодов, включенных встречно-параллельно
Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором может сохраняться
от 1 до 5 лет
более 10 лет
до 1 года
до 1 месяца
Характерная особенность диода Шотки:
используется выпрямляющий контакт металл-полупроводник
предназначен для стабилизации малых напряжений
предназначен для работы в качестве конденсатора
наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением
В режиме насыщения биполярного транзистора:
оба перехода смещены в обратном направлении
коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный в прямом
коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный находится под очень малым прямым напряжением
оба перехода смещены в прямом направлении
В обозначении светодиода первая буква указывает на
вид прибора
подвид светодиода
материал изготовления
конструктивное исполнение
Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое
уменьшение дифференциального сопротивления перехода
уменьшение барьерной емкости перехода
увеличение дифференциального сопротивления перехода
увеличение барьерной емкости перехода
На рисунке изображена схема включения транзистора 
инверсного
с общим коллектором
с общей базой
с общим эмиттером
Общая емкость p-n-перехода равна
диффузной емкости
произведению барьерной и диффузной емкостей
барьерной емкости
сумме барьерной и диффузной емкостей
К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного
1, 4, 5
1, 3, 4
2, 3, 5
1, 4
Плёночная схема:
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного
2, 3
3, 4
1, 4
1, 2
Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются
полупроводниковыми
тепловыми
фотонными
емкостными
В обозначении светодиода вторая буква указывает на
конструктивное исполнение
вид прибора
материал изготовления
подвид светодиода
Полевые транзисторы бывают: 1) с управляющим переходом; 2) с управляющим затвором; 3) с изолированным затвором; 4) с изолированным переходом - из перечисленного
2, 3
1, 4
1, 3
2, 4
Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой
вольт-амперной
люмено-амперной
переходной
люкс-амперной
Фотодиод работает в режиме фотогенератора при
u<0, i>0
u>0, i>0
u<0, i<0
u>0, i<0
Полупроводниковая схема:
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
Фототранзисторы описываются характеристиками
люмено-амперной
переходными
вольт-амперными
люкс-амперными
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального 
транзистора
диода для прямого включения
диода для обратного включения
резистора
По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные - из перечисленного
3, 4
2, 4
1, 3
1, 2
Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют
светодиодом
стабилитроном
фотодиодом
оптодиодом
Оптоэлектронными приборами являются: 1) излучатели; 2) приемники излучения; 3) стабисторы; 4) диоды Шоттки - из перечисленного
3, 4
1, 4
2, 3
1, 2
Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
СИС
СБИС
МИС
БИС
Биполярный транзистор:
полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электирическим переходом
полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, имеющий три вывода
полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три p-n перехода
Если геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой
тепловой
туннельный
механический
лавинный
Оптрон:
светодиод - фототиристор
фоторезистор-фотодиод
фотодиод- фототиристор
фотодиод-фототранзистор
На рисунке изображен МДП-транзистор 
со встроенным каналом p-типа
со встроенным каналом n-типа
с индуцированным каналом p-типа
с индуцированным каналом n-типа
Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока - из перечисленного
3, 4
1, 3
2, 4
1, 2
При инверсном режиме работы транзистора
коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный - в прямом
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном
Время спада диода зависит от: 1) времени жизни носителей; 2) барьерной емкости диода; 3) диффузной емкости диода; 4) тока, протекающего через диод - из перечисленного
2, 3
1, 4
1, 2
3, 4
Полевой транзистор:
полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три р-п перехода
активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три вывода
полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом
Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя - из перечисленного
1, 2
3, 4
2, 4
1, 3
Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее
10000
100000
100
1000
Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от
влажности окружающей среды
концентрации примеси
температуры окружающей среды
давления окружающей среды
Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
3, 4
2, 3
1, 2
1, 4
Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой
туннельный
лавинный
тепловой
механический
На рисунке изображен МДП-транзистор 
со встроенным каналом p-типа
с индуцированным каналом n-типа
со встроенным каналом n-типа
с индуцированным каналом p-типа