Электронные приборы
Цифровая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является
БИС
МИС
СБИС
СИС
Оптоэлектронный датчик:
электрически управляемый прибор для систем визуального отображения информации
прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель и фотоприёмник
источник когерентного оптического излучения
прибор, преобразующий внешнее физическое воздействие в электрический сигнал
Устойчивыми состояниями фототиристора являются: 1) открыт; 2) закрыт; 3) насыщен; 4) активен - из перечисленного
1, 2, 3
3, 4
1, 2
1, 2, 4
Фотодиоды описываются характеристиками
вольт-амперными
люмено-амперной
переходными
люкс-амперными
На практике тиристор обычно включают током управления
постоянным
импульсным
переменным с малой частотой
переменным с большой частотой
Основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) малая пропускная способность оптического канала; 4) плохая электрическая развязка входа и выхода - из перечисленного
1, 2
2, 3
3, 4
1, 4
Полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока, называется
туннельным диодом
стабистором
диодом Шоттки
варикапом
Достоинствами ЖКИ являются: 1) малая потребляемая мощность; 2) не требуют источников постороннего света; 3) хорошая четкость знаков; 4) высокая яркость - из перечисленного
2, 4
2, 3
1, 4
1, 3
Цифровая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является
СИС
СБИС
МИС
БИС
Фотоприемники, интегрирующие результаты воздействия излучения за длительный период, называются
фотонными
тепловыми
емкостными
полупроводниковыми
Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции
2N
ln N
N
lg N
Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода 2) параметры диода 3) эквивалентную схему диода 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы
1, 2
3, 4
1, 3
2, 4
Режим, соответствующий первому квадранту характеристик транзистора (uкб>0, iк>0), называют
режимом насыщения
активным
режимом отсечки
ключевым
Работа, совершаемая силами поля по переносу единичного положительного заряда, называется
потенциал
пробой
переход
инжекция
Инерционность полевого транзистора определяется в основном
поверхностными утечками в области выводов
процессами перезаряда барьерной емкости р-n-перехода
малой скоростью основных носителей
большим сечением канала
В оптопарах, используемых для развязки, в качестве фотоприемника обычно применяются: 1) диод; 2) тиристор; 3) резистор; 4) пара диодов; 5) конденсатор; 6) воздушный трансформатор - из перечисленного
1, 2, 3, 5
1, 2, 3, 4
2, 4, 5, 6
1, 3, 4, 5
В солнечных элементах фотодиоды работают в режиме
фотопреобразователя
фотогенератора
фотоизлучателя
фотоусилителя
Генератор света высокой направленности, монохроматичности и когерентности называется
оптопарой
фотодиодом
светодиодом
лазером
Гибридная схема:
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
Программно-управляемое устройство, построенное на одной или нескольких СБИС, осуществляющее процесс обработки информации и управляющее им, называется
микропроцессором
функциональным преобразователем информации
арифметико-логическим устройством
контроллером
Фотодиод работает в режиме фотопреобразователя при
u>0, i>0
u<0, i>0
u>0, i<0
u<0, i<0
Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию основных носителей заряда, называют
поверхностным слоем
коллектором
эмиттером
базой
На рисунке изображена эквивалентная схема идеального 
транзистора
диода для прямого включения
резистора
диода для обратного включения
Интервал, в течение которого обратное напряжение на диоде при его переключении начинает быстро возрастать (по модулю), называется временем
спада
рассасывания
восстановления
жизни
Источником когерентного оптического излучения является
оптрон
светоизлучающий диод
фотодиод
полупроводниковый лазер
На рисунке изображена схема включения транзистора 
с общей базой
инверсного
с общим коллектором
с общим эмиттером
Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного
2, 4
1, 4
1, 3
2, 3
Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер
заземлен
соединен с коллектором
соединен с базой
является общим электродом для источников напряжения
Наличие на прямой ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением является характерной особенностью
туннельного диода
варикапа
стабистора
диода Шоттки
Тиристоры, которые могут быть выключены с помощью тока управления, называются
симметричными
незапираемыми
запираемыми
несимметричными
Биполярный транзистор имеет количество p-n-переходов, равное
трем
одному
четырем
двум
При прямом включении p-n-перехода:
потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи увеличатся
потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, дрейфовый и диффузный токи увеличатся
потенциальный барьер увеличится на величину напряжения, а дрейфовый и диффузный токи уменьшатся
потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения, дрейфовый ток уменьшается, а диффузный увеличивается
Источником некогерентного оптического излучения является
светоизлучающий диод
полупроводниковый лазер
фотодиод
оптрон
На рисунке изображена схема включения транзистора с общим 
стоком
затвором
истоком
стоком и истоком
Причинами поверхностных утечек в области p-n-перехода являются: 1) изменения температуры; 2) поверхностные энергетические уровни; 3) молекулярные и ионные пленки; 4) изменения давления - из перечисленного
3, 4
1, 4
2, 3
1, 2
Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется
пробоем
генерацией
инжекцией
фотоэффектом
Наклон выходных характеристик транзистора для схемы с общей базой численно определяют
диффузной емкостью
дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода
дифференциальным коэффициентом передачи эмиттерного тока
барьерной емкостью
В активном режиме работы транзистора
коллекторный переход смещен в прямом направлении
переходы не смещены
эмиттерный переход смещен в обратном направлении
эмиттерный переход смещен в прямом направлении
Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптическим каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного
1, 2, 4
2, 3, 4
1, 4, 5
1, 3, 5
По конструктивно-технологическим признакам интегральные схемы разделяют на: 1) кристаллические; 2) гибридные; 3) полупроводниковые; 4) проводниковые; 5) пленочные - из перечисленного
1, 3, 4
2, 3, 5
2, 3, 4
1, 2, 5
Основными характеристиками лазеров являются: 1) коэффициент усиления по мощности; 2) длина волны излучения; 3) мощность и энергия; 4) интегральная чувствительность; 5) качество излучения - из перечисленного
1, 2, 5
1, 3, 4
2, 3, 5
2, 4, 5
На рисунке изображен МДП-транзистор 
со встроенным каналом n-типа
со встроенным каналом p-типа
с индуцированным каналом p-типа
с индуцированным каналом n-типа
Интегральная схема:
интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединённых элементов и кристаллов, которое рассматривается как единое целое
интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
Обозначениями светодиода являются: 1) АЛ316; 2) АЛСК31; 3) АЛС331; 4) А2619 - из перечисленного
3, 4
1, 2
2, 4
1, 3
Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является
СБИС
МИС
БИС
СИС
В режиме насыщения транзистора
коллекторный переход смещен в прямом направлении
коллекторный переход смещен в обратном направлении
эмиттерный переход смещен в обратном направлении
переходы не смещены
К основным типам индикаторов относятся: 1) полупроводниковые; 2) твердотельные; 3) вакуумные люминесцентные; 4) плазменные; 5) газоразрядные; 6) жидкокристаллические - из перечисленного
1, 2, 4, 6
3, 4, 5, 6
1, 2, 3, 4
1, 3, 5, 6
На схеме изображена вольт-амперная характеристика 
обращенного диода
стабилитрона
диода Шоттки
туннельного диода